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DDR3 内存与 GDDR3 显存的区别

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樓主

發表於 2016-7-4 22:41:25

很多人谈论到 DDR3 内存时，总会把 GDDR3 显存混为一谈。其实二者是有些区别的。我们下面从他们的定义来区分。

一、GDDR2 显存的换代产品 GDDR3
GDDR3 是 GDDR2 显存的换代产品，主要区别就是前者有着更高的工作频率。
当然 GDDR3 和 GDDR2 相比还有其他一些不同的地方，GDDR3 采用的是单端设计，并没有分开数据输入和写出通道。此外，GDDR3 采用了基于电压的“伪开漏” 界面技术（pseudo-open drain）。和 GDDR2 一样，GDDR3 采用了 1.8V 电压标准。
GDDR3显存具备目前业界最高的显存工作频率，而耗能却很低。同时，配备GDDR3 需要的配件更少，约束条件也更低。综合这些优点，NVIDIA 的合作商们在启用 GDDR3 后，将为消费者提供性能更加出色、价格更低的显卡产品。

二、DDR2 内存的换代产品 DDR3
DDR3 相比起 DDR2 有更高的工作电压，从 DDR2 的 1.8V 降落到 1.5V，性能更好更为省电；DDR2 的 4bit 预读升级为 8bit 预读。DDR3 目前最高能够 1600Mhz的速度，由于目前最为快速的 DDR2 内存速度已经提升到 800Mhz/1066Mhz 的速度，因而首批 DDR3 内存模组将会从 1333Mhz 的起跳。在 Computex 大展我们看到多个内存厂商展出 1333Mhz 的 DDR3 模组。相对于 DDR2 内存的 4bit 预取机制，DDR3 内存模组最大的改进就是采用了 8bit 预取机制设计，这样 DRAM内核的频率只有接口频率的 1/8，DDR3-800 的核心工作频率只有 100MHz，当DRAM 内核工作频率为 200MHz 时，接口频率已经达到了 1600MHz。而当 DDR3内存技术成熟时，将会有实力强大的内存厂商推出更高频率的产品，初步估计届时将会出现 DDR3-2000 甚至 2400 的高速内存。除了预取机制的改进，DDR3内存还采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。此外，DDR3内存将采用 100nm 以下的生产工艺，并将工作电压从 1.8V 降至 1.5V，增加异步重置（Reset）与 ZQ 校准功能。

在性能方面，DDR3 内存将拥有比 DDR2 内存好很多的带宽功耗比(Bandwidthper watt)，对比现有 DDR2-800 产品，DDR3-800、1067 及 1333 的功耗比分别为 0.72X、0.83X 及 0.95X，不单内存带宽大幅提升，功耗表现也好了很多。
fsb 与 cpu 有关 cpu 就决定了 fsb 频率的大小与主板无关（主板支持这个 fsb频率的 cpu 才能插）双通道频率不变只是数据通信量增大一倍！比如 ddr2 400 两组成双通道只要配合 fsb400 频率就可以充分发挥机器效能。
DDR400,333,266 它们除了频率上的区别外，还有延迟时间上的区别，DDR400的频率是最快的，达到了 200MHZ（为什么是 200MHZ，因为 DDR 内存是双倍速率随机动态同步存储器的意思，所以 DDR400 是 200 乖以 2 得来的，那么换算过了，DDR400 的实际频率就是 200MHZ，333 的实际频率是 166 的，266 的是 133 的，DDR2533 的是 266，DDR2667 是 333 的，DDR2800 的是 400MHZ的。）但是 DDR400 也是 DDR 内存中延迟最后的，一般的，速度快的内存，相对速度慢的内存延迟要高些。(一般情况频率高，延迟就大）从外观上看它们大致相同，但是也有一定的区别，这主要是从与它们容量和速度相关的内存颗粒上看出的，256MB 的内存不管是 DDR 几的，都是单面的，而 512 与 512 兆以上的，多半是两面都有颗粒的。还有，DDR400 的内存所使用的颗粒的速度是 5NS 的，
而 333 的是 6NS 的，266 的是 7NS（一般是这样的）。其次还有电压和针脚定义
的不同，还有封装形式，大多是采用 TSOP（薄型小尺寸封装）还有 MBGA（微型栅格球形阵列封装）的。

DDR2 与 DDR 的区别
与 DDR 相比，DDR2 最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上 DDR 内存只能够使用一个 DRAM 核心。
技术上讲，DDR2 内存上仍然只有一个 DRAM 核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理 4 个数据而不是两个数据。
DDR2 与 DDR 的区别示意图
与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2 内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit 的数据，比传统 DDR 内存可以处理的 2bit 数据高了一倍。DDR2 内存另一个改进之处在于，它采用 FBGA 封装方式替代了传统的 TSOP 方式。
然而，尽管 DDR2 内存采用的 DRAM 核心速度和 DDR 的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配 DDR2 内存，因为 DDR2 的物理规格和 DDR 是不兼容的。
首先是接口不一样，DDR2 的针脚数量为 240 针，而 DDR 内存为 184 针；其次，DDR2 内存的 VDIMM 电压为 1.8V，也和 DDR 内存的 2.5V 不同。
内存频率与总线频率匹配问题：最好匹配发挥系统的性能不是很明显
内存量增大速度就明显增大
双通道提升性能（主要相对 intel 公司的平台）
同配置的 2 个 1g 内存在机器支持双通道情况下插性能比 1 个 2g 内存插要提高 30%
双通道的性能
在 INTEL 平台和 AMD 平台上有明显的差别!而且在高低配置上影响力也不同!比如说个,CPU 用 478 的 P4 2.8C 用上双通道 DDR 400 性能提升超过 30%!又如说现在 AM2 闪龙与 754 的闪龙用不用双通道,性能差别并不大!一般情况下,INTEL 的平台和 AMD 的高端 CPU 双通道性能发挥得比较好点!
主板支持就支持！主板不支持那就不支持了！！
你看看就行！支持双通道的主板一般 4 个内存插槽！两个颜色成一对！！
同一颜色的插同型号内存就是双通道！(用主板支持就支持！主板不支持那就不支持了！！
你看看就行！支持双通道的主板一般 4 个内存插槽！两个颜色成一对！！
同一颜色的插同型号内存就是双通道！（用 evest 芯片组那里北桥可以看出支持双通道吗？及现在是什么模式。还有支持内存种类）everest 里的主板里的 spd 中的 Bank （内存库）在内存行业里，Bank 至少有三种意思，所以一定要注意。
1、在 SDRAM 内存模组上，"bank 数"表示该内存的物理存储体的数量。（等同于"行"/Row）
2、Bank 还表示一个 SDRAM 设备内部的逻辑存储库的数量。（现在通常是 4 个bank）
3、它还表示 DIMM 或 SIMM 连接插槽或插槽组，例如 bank 1 或 bank A。这里的 BANK 是内存插槽的计算单位（也叫内存库），它是电脑系统与内存之间数据总线的基本工作单位。只有插满一个 BANK，电脑才可以正常开机。
举个例子，奔腾系列的主板上，1 个 168 线槽为一个 BANK，而 2 个 72线槽才能构成一个 BANK，所以 72 线内存必须成对上。原因是，168 线内存的数据宽度是 64 位，而 72 线内存是 32 位的。主板上的 BANK 编号从 BANK0开始，必须插满 BANK0 才能开机，BANK1 以后的插槽留给日后升级扩充内存用，称做内存扩充槽

1、内存的实际运行频率取决于速度最慢的那根内存，也就是说 667 会跟着 533走，实际是 533。
2、对硬件的损害：基本上不存在，这个你放心！
3、两条比一条快的原因：内存容量的提升在你所运行的系统下的效率比提升总线频率的效率来的高！这是个非线性的模式，你再加多内存还会快，但加到某一定容量后就只能靠提升总线频率来获取更多效能，这个是由操作系统所需的内存容量来决定的。
4、关于速度：533 与 667 基本上肉眼分辨不出速度的差别，上面说过了，增加内存容量的效能往往比总线频率提升的效能来的快，我们看 WINDOWS XP 在128M 和 512M（其他配置相同）运行的情况下，512M 内存明显快的原因就是XP 系统正常运行的物理内存基本上要 160-400M,而 128 明显不足，需要通过在硬盘上形成虚拟内存来达到正常运行的效果，而 512 的就可以直接读取，不需要虚拟，这样简化了运行流程提升了效率，WINDOWS VISTA 也同样，可能需要至少 1G 才可以跑的流畅，512 就明显不足了。
当然，在相同操作系统下，同容量的内存下，总线频率高的占优势，但肉眼基本上分辨不出，效能也差不了太多。
5、关于双通道：这个 INTEL 更多的是在玩弄概念，这个则是他的卖点，目的是让更多的人来买，而非双通道能带来质的飞跃。这个效能比单通道的提升将近3%，而且要看运行的是什么软件，实际利用的意义不大。
今天,英特尔战略部门经理 Carlos Weissenberg 在秋季英特尔信息技术峰会上表示,2009 年年底之前,DDR3 内存都不会全面取代 DDR2 内存.Weissenberg 通过幻灯片向与会人员解释说,在未来的16个月内,DDR2内存仍将占据内存市场的主导地位.随着低电压 DDR3 内存的不断问世,明年内 DDR3 内存会取得巨大的发展. 届时将出现电压为 1.35V 的 DDR3 内存,而目前 DDR3 内存的电压主要是 1.5V.

此后,DDR3 内存在市场中的张力会越来越大.不过 Weissenberg 也表示无法预测DDR3 内存的价格何时才能够更平易近人。
尽管 Weissenberg 承认目前 DDR3 内存还不能大范围普及,但他说英特尔始终认为 DDR3 取代 DDR2 是大势所趋."我们正在与内存供应商进行合作,以推动 DDR2更快向 DDR3 过渡."Weissenberg 表示,"我们未来的芯片组都将只支持 DDR3 内存,Nehalem 处理器架构也是如此."
同时,参加本次 IDF 的奇梦达(Qimonda)资深市场总监 Tom Trill 也表示赞同英特
尔的观点,并且他还在 IDF 上展示了奇梦达关于制造 16GB 和 32GB DDR3 内存的发展规划. 虽然 DDR3 离我们绝大多数人还很遥远,但是 DDR3 内存的继任产品 DDR4 却已经被列入英特尔和奇梦达未来的发展蓝图中.Tom Trill 预测,第一批 DDR4 内存有望在 2012 年问世,其总线频率约是 2133MHz,运行电压是 1.2V.同时他还预测,2013 年应该可以看到 2667MHz、1.0V 的 DDR4 内存产品.